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2차원 반도체 선택영역 도핑기술 세계 최초 개발
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이러한 높은 전하 이동도는 낮은 접촉저항과 함께 2개월 이상 상온 대기압 하에서 유지되었으며, 섭씨 250도 이상 질소분위기에서 안정적으로 유지돼 현재까지 보고된 연구결과 중 가장 안정적인 도핑 안정성을...


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